Отображение 1 - 14 результаты of 14 для поиска 'Васильев, Владимир Васильевич физик', время запроса: 0.05сек. Отмена результатов
  1. 1
    Эвристическая формула для оценки эффективной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда в ИК-фотоприемных матрицах
    Другие авторы: “...Васильев, Владимир Васильевич физик...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  2. 2
    Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe
    Другие авторы: “...Васильев, Владимир Васильевич физик...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  3. 3
    Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3
    Другие авторы: “...Васильев, Владимир Васильевич физик...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  4. 4
    Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур
    Другие авторы: “...Васильев, Владимир Васильевич физик...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  5. 5
    Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    Другие авторы: “...Васильев, Владимир Васильевич физик...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  6. 6
    Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23)
    Другие авторы: “...Васильев, Владимир Васильевич физик...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  7. 7
    Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур
    Другие авторы: “...Васильев, Владимир Васильевич физик...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  8. 8
    Температурные зависимости произведения дифференциального сопротивления на площадь в МДП-структурах на основе CdxHg1–xTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках из Si и GaAs
    Другие авторы: “...Васильев, Владимир Васильевич физик...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  9. 9
    Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика
    Другие авторы: “...Васильев, Владимир Васильевич физик...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  10. 10
    Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К
    Другие авторы: “...Васильев, Владимир Васильевич физик...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  11. 11
    Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3
    Другие авторы: “...Васильев, Владимир Васильевич физик...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  12. 12
    Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур
    Опубликовано в: Прикладная физика
    Другие авторы: “...Васильев, Владимир Васильевич физик...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  13. 13
    Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23)
    Другие авторы: “...Васильев, Владимир Васильевич физик...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  14. 14
    Средневолновые ФПУ форматом 640×512 элементов с шагом 15 мкм на основе слоев HgCdTe, выращенных методом МЛЭ на кремниевых подложках
    Другие авторы: “...Васильев, Владимир Васильевич физик...”
    Полный текст
    Статья в журнале
Инструменты поиска: RSS-поток