Получение монокристаллов высокочистого полуизолирующего арсенида галлия методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава...

by Марков, Александр Владимирович физик
Published in Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП

Объемные монокристаллы полупроводниковых соединений AᶦᶦᶦBᵛ: современное производство и перспективы развития...

by Марков, Александр Владимирович физик
Published in Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции

Монокристаллы арсенида галлия, выращенные методом VGF: особенности структуры и свойств

by Марков, Александр Владимирович физик
Published in Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции

Необратимый характер реакции осаждения GaN в хлорид-гидридном процессе

Published in Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции

Микродефекты в монокристаллах GaAs(Si), полученных методом вертикальной направленной кристаллизации (ВНК)...

Published in Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции

Особенности структуры монокристаллов GaAs, легированных кремнием, выращенных методом Чохральского из-под слоя флюса B2O3...

Published in Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"

Выращивание монокристаллов арсенида галлия методом вертикальной направленной кристаллизации

Published in Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции

Многоканальные микросхемы первичного преобразования сигнала с рентгеновских чувствительных элементов и приемный модуль на их основе...

Published in Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции