Отображение
1 - 9
результаты of
9
для поиска '
Разжувалов, Александр Николаевич
'
Пропуск в контексте
Язык
English
Русский
123
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Найти
Расширенный поиск
Автор
Разжувалов, Александр Николаевич
Отображение
1 - 9
результаты of
9
для поиска '
Разжувалов, Александр Николаевич
'
, время запроса: 0.02сек.
Отмена результатов
Сортировка
Релевантность
Дата по убыванию
Дата по возрастанию
Шифр
Автор
Заглавие
1
Резонансное туннелирование электронов в гетероструктурах на основе нитридов соединений A3B5
по
Разжувалов
,
Александр
Николаевич
Опубликовано в:
Физика твердого тела : тезисы докладов VI Российской научной студенческой конференции
Шифр:
Загрузка...
Местонахождение:
Загрузка...
Статья в сборнике
Загрузка...
2
Резонансное туннелирование электронов в напряженных вюрцитных структурах соединений A3B5
по
Разжувалов
,
Александр
Николаевич
Опубликовано в:
Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.
Шифр:
Загрузка...
Местонахождение:
Загрузка...
Статья в сборнике
Загрузка...
3
Самосогласованный расчет туннельного тока в нитридных структурах GaN/AlGaN(0001)
по
Разжувалов
,
Александр
Николаевич
Опубликовано в:
Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9). Т. 2 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : доклады
Шифр:
Загрузка...
Местонахождение:
Загрузка...
Статья в сборнике
Загрузка...
4
Туннельный транспорт в двухбарьерных гетероструктурах GaN/AI0 3Gaol7N(0001). самосогласованный расчет
по
Разжувалов
,
Александр
Николаевич
Опубликовано в:
Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)
Шифр:
Загрузка...
Местонахождение:
Загрузка...
Статья в сборнике
Загрузка...
5
Туннельный ток в двухбарьерных гетероструктурах GaN/AlxGa1-x N(0001) и GaAs/AlxGa1-x As(001)
по
Разжувалов
,
Александр
Николаевич
Опубликовано в:
Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции
Шифр:
Загрузка...
Местонахождение:
Загрузка...
Статья в сборнике
Загрузка...
6
Туннельные явления в напряженных вюртцитных гетероструктурах с сильными встроенными полями диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 ;...
по
Разжувалов
,
Александр
Николаевич
Публикация 2009
Шифр:
Загрузка...
Местонахождение:
Загрузка...
Книга
Загрузка...
7
Модель гистерезиса туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w- GaN/AlGaN(0001)
по
Разжувалов
,
Александр
Николаевич
Опубликовано в:
Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции
Шифр:
Загрузка...
Местонахождение:
Загрузка...
Статья в сборнике
Загрузка...
8
Туннельные явления в напряженных вюртцитных гетероструктурах с сильными встроенными полями автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук...
по
Разжувалов
,
Александр
Николаевич
Публикация 2009
Шифр:
Загрузка...
Местонахождение:
Загрузка...
Полный текст
Электронная книга
9
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по
Караваев, Геннадий Федорович
Опубликовано в:
Известия высших учебных заведений. Физика
Другие авторы:
“
...
Разжувалов
,
Александр
Николаевич
...
”
Шифр:
Загрузка...
Местонахождение:
Загрузка...
Полный текст
Статья в журнале
Инструменты поиска:
RSS-поток
Связанные темы
теоретическая физика
физика полупроводников
Загрузка...