Отображение 1 - 20 результаты of 25 для поиска 'Семягин, Борис Рэмович', время запроса: 0.05сек. Отмена результатов
  1. 1
    Фазовая диаграмма поверхности GaAs(311)A при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  2. 2
    Влияние элементов состава в подрешетке III группы на встраивание мышьяка и фосфора при МЛЭ твердых растворов (AIII)PxAs1-x
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  3. 3
    Выращивание твердых растворов GaPxAs1-x методом молекулярно-лучевой эпитаксии: механизм формирования состава в подрешетке V группы
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  4. 4
    Вентильный источник фосфора для молекулярно-лучевой эпитаксии на основе термического разложения InP: конструкция, характеристики, применение
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  5. 5
    Получение твердых растворов GaPxAs1-x, InPxAs1-x, InyGa1-yPxAs1-x, на GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  6. 6
    Определение плотности молекулярных потоков элементов III и IV группы по показаниям ионизационного вакуумметра в установках молекулярно-лучевой эпитаксии
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  7. 7
    Использование InP в качестве источника фосфора при выращивании фосфорсодержащих соединений Aᶦᶦᶦ Bᵛ методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  8. 8
    Эффективность встраивания фосфора из потока молекул P2 (P4) при молекулярно-лучевой эпитаксии GaP
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  9. 9
    Влияние условий роста на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  10. 10
    Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si(001) для высокоэффективных тандемных AIIIBV/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  11. 11
    Молекулярно-лучевая эпитаксия фосфорсодержащих соединений с использованием потока фосфора, получаемого при термическом разложении InP
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  12. 12
    Поверхностные процессы при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  13. 13
    Электрические и оптические свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  14. 14
    Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  15. 15
    Влияние начальных условий роста на полярность слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3(0001)
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  16. 16
    Контроль полярности пленок GaN при росте методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на АL2O3(0001)
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  17. 17
    Исследование ростовых поверхностей вицинальных ᶲº(001) граней GaAs, выращенных МЛЭ при низкой температуре
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  18. 18
    Влияние температуры роста, сорта молекул Asx(x=2, 4) и отношения потоков As/Ga на структуру ростовых поверхностей слоев LTG-GaAs
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  19. 19
    Влияние примеси Si на захват избыточного мышьяка и свойства GaAs, выращенного методом МЛЭ при низких температурах
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
  20. 20
    Влияние плотности потока молекул As2 и As4 на свойства слоев нелегированного и легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
    Другие авторы: “...Семягин, Борис Рэмович...”
    Статья в сборнике
Инструменты поиска: RSS-поток