Отображение 1 - 8 результаты of 8 для поиска 'Scheglov, Mikhail P.', время запроса: 0.03сек. Отмена результатов
  1. 1
    Hydrogen sensors based on Pt/α-Ga2O3:Sn/Pt structures
    Опубликовано в: Sensors and actuators B : Chemical
    Другие авторы: “...Scheglov, Mikhail P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  2. 2
    HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer
    Опубликовано в: Materials physics and mechanics
    Другие авторы: “...Scheglov, Mikhail P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  3. 3
    Gas sensors based on pseudohexagonal phase of gallium oxide
    Опубликовано в: Physica status solidi
    Другие авторы: “...Scheglov, Mikhail P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  4. 4
    Electrical conductive and photoelectrical properties of heterostructures based on gallium and chromium oxides with corundum structure
    Опубликовано в: Technical physics letters
    Другие авторы: “...Scheglov, Mikhail P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  5. 5
    Electrical properties of α-Ga2O3 films grown by halide vapor phase epitaxy on sapphire with α-Cr2O3 buffers
    Опубликовано в: Journal of applied physics
    Другие авторы: “...Scheglov, Mikhail P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  6. 6
    Solar-blind ultraviolet detectors based on high-quality HVPE α-Ga2O3 films with giant responsivity
    Опубликовано в: IEEE sensors journal
    Другие авторы: “...Scheglov, Mikhail P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  7. 7
    Low-resistivity gas sensors based on the In2O3-Ga2O3 mixed compounds films
    Опубликовано в: Materials today communications
    Другие авторы: “...Scheglov, Mikhail P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  8. 8
    Effects of sapphire substrate orientation on Sn-doped α-Ga2O3 grown by halide vapor phase epitaxy using α-Cr2O3 buffers
    Опубликовано в: Journal of physics D: Applied physics
    Другие авторы: “...Scheglov, Mikhail P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
Инструменты поиска: RSS-поток