Физические основы проектирования кремниевых цифровых интегральных микросхем в монолитном и гибридном исполнении
В учебном пособии изложены физические аспекты проектирования цифровых кремниевых микросхем в твердотельном и гибридном исполнении. Рассмотрены вопросы проектирования МОП- и биполярных транзисторов и диодов, а также пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников и контактных узлов). Подр...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Book |
| Language: | Russian |
| Published: |
Санкт-Петербург
Лань
2022
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://e.lanbook.com/book/211199 https://e.lanbook.com/img/cover/book/211199.jpg |
| Summary: | В учебном пособии изложены физические аспекты проектирования цифровых кремниевых микросхем в твердотельном и гибридном исполнении. Рассмотрены вопросы проектирования МОП- и биполярных транзисторов и диодов, а также пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников и контактных узлов). Подробно изложены вопросы проектирования элементов гибридных микросхем. Много внимания уделено проектированию МОП- и КМОП-интегральных микросхем, так как в настоящее время именно эти ИМС занимают ведущие позиции в производстве микросхем в целом. Особенностью данного учебного пособия является описание методов повышения надежности и радиационной стойкости ИМС, поскольку микросхемы широко используются в экстремальных условиях. Учебное пособие предназначено для преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области микроэлектроники, электроники, электронных измерительных систем, а также для специалистов, интересующихся повышением надежности и радиационной стойкости ИМС. |
|---|---|
| Physical Description: | 208 с. |
| Audience: | Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки |
| Bibliography: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |
| ISBN: | 978-5-8114-1375-1 |