Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности...
Main Author: | Александрова О. А. |
---|---|
Other Authors: | Лебедев А. О., Мараева Е. В. |
Format: | Book |
Language: | Russian |
Published: |
Санкт-Петербург
Лань
2023
|
Subjects: | |
Online Access: | https://e.lanbook.com/book/302363 https://e.lanbook.com/img/cover/book/302363.jpg |
Similar Items
-
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
by: Александрова, О. А.
Published: (2023) -
Несоответствие навыков сотрудников занимаемой должности: от проблемы к поиску решения
by: Сафонова, Олеся Вячеславовна -
Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии учебно-методическое пособие : для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов
Published: (2023) -
Эпитаксиальный рост двумерных материалов IV группы и его моделирование
by: Винарский, Владимир Петрович -
Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
by: Попова, А. В