LEADER 02221nlm a2200361 4500
001 libtpu00210711
008 120301s2012 ru a d 0000 m rus
035 0 0 |a (RuTPU)RUTPUbook230137 
040 |a RU  |b rus  |c RU  |d Ru-TPU 
040 |a RU  |c RU  |d Ru-TPU 
080 |a 621.382(04) 
084 |a 01.04.07  |2 oksvnk 
100 1 |a Рубанов, П. В.  |c специалист в области неразрушающего контроля  |c инженер Томского политехнического университета  |d 1981- 
245 1 0 |a Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона  |h Электронный ресурс  |b автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  |b спец. 01.04.07  |c П. В. Рубанов 
260 |a Томск  |c 2012 
300 |a 1 файл (500 Kb) 
500 |a Заглавие с титульного экрана 
500 |a Электронная версия печатной публикации 
650 1 0 |a Полупроводниковые приборы  |x Радиационная стойкость 
653 |a электронный ресурс 
653 |a авторефераты диссертаций 
653 |a светодиоды 
653 |a гетероструктуры 
653 |a облучение 
653 |a быстрые нейтроны 
653 |a комбинированное облучение 
653 |a гамма-кванты 
653 |a светоизлучающие диоды 
653 |a производство 
653 |a радиационные технологии 
653 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Градобоев  |c российский физик  |c профессор Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета, доктор технических наук  |g Александр Васильевич  |4 727 
856 4 |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/a/2012/17.pdf