|
|
|
|
| LEADER |
03008nlm a2200337 4500 |
| 001 |
libtpu00264455 |
| 008 |
140619s2013 ru a k 0001 m rus |
| 035 |
0 |
0 |
|a (RuTPU)RUTPUbook287447
|
| 040 |
|
|
|a RU
|b rus
|c RU
|d Ru-TPU
|
| 080 |
|
|
|a 537.311.322:530.145
|
| 100 |
1 |
|
|a Шамирзаев, Т. С.
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
|h Электронный ресурс
|b учебное пособие
|c Т. С. Шамирзаев
|
| 260 |
|
|
|a Томск
|b Изд-во ТПУ
|c 2013
|
| 500 |
|
|
|a Заглавие с титульного экрана
|
| 500 |
|
|
|a Электронная версия печатной публикации
|
| 520 |
|
|
|a Монография посвящена исследованию фундаментальных закономерностей рекомбинации и спиновой релаксации экситонов в новом классе полупроводниковых гетероструктур первого рода с непрямой запрещенной зоной. Экспериментально обосновано формирование подобных гетероструктур в системах InAs/AlAs, GaSb/GaP, GaAs/GaP, GaSb/AlAs. Определены закономерности некогерентной динамики электронных возбуждений в непрямозонных квантовых точках первого рода. Показано, что доминирующим механизмом релаксации локализованных в квантовых точках нейтральных и отрицательно заряженных экситонов является спин-решеточная релаксация с участием одного акустического фонона. Предназначена для подготовки магистрантов и аспирантов в области физики полупроводников и научных работников
|
| 650 |
1 |
0 |
|a Экситоны в полупроводниках
|
| 653 |
|
|
|a электронный ресурс
|
| 653 |
|
|
|a учебные пособия
|
| 653 |
|
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 653 |
|
|
|a полупроводниковые гетероструктуры
|
| 653 |
|
|
|a экситоны
|
| 653 |
|
|
|a гетероструктуры
|
| 653 |
|
|
|a энергетические спектры
|
| 653 |
|
|
|a квантовые ямы
|
| 653 |
|
|
|a гетеросистемы
|
| 653 |
|
|
|a квантовые точки
|
| 653 |
|
|
|a электронные возбуждения
|
| 653 |
|
|
|a спиновая релаксация
|
| 653 |
|
|
|a монографии
|
| 856 |
4 |
|
|u http://www.lib.tpu.ru/fulltext2/m/2014/m210.pdf
|
