Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной учебное пособие
Монография посвящена исследованию фундаментальных закономерностей рекомбинации и спиновой релаксации экситонов в новом классе полупроводниковых гетероструктур первого рода с непрямой запрещенной зоной. Экспериментально обосновано формирование подобных гетероструктур в системах InAs/AlAs, GaSb/GaP, G...
| Main Author: | Шамирзаев, Т. С. |
|---|---|
| Format: | Book |
| Language: | Russian |
| Published: |
Томск
Изд-во ТПУ
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext2/m/2014/m210.pdf |
Similar Items
-
Оптические свойства наноструктур: учебное пособие/
by: Воробьев, Л. Е. Леонид Евгеньевич, et al.
Published: (2001) - Рекомбинация экситонов, связанных на донорно-акцепторных парах, в δ-легированных GaAs/AlAs сверхрешетках второго ряда
-
Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев, Геннадий Федорович -
Влияние эффектов самополяризации и экситон-фононного взаимодействия на энергию экситона в нанопленках дииодида свинца
by: Крамарь, Валерий Максимович -
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев, Геннадий Федорович
