LEADER 02272nlm a2200421 4500
001 libtpu00340337
008 180316s2017 ru a 0000 m rus
035 0 0 |a (RuTPU)RUTPUbook367125 
035 0 0 |a RUTPUbook367124 
040 |a RU  |b rus  |c RU  |d Ru-TPU 
080 |a 537.311.322:535(04) 
080 |a 539.23(04) 
084 |a 01.04.07  |2 oksvnk 
100 1 |a Сысоева, С. Г. 
245 1 0 |a Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком  |b диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  |b спец. 01.04.07  |c С. Г. Сысоева 
260 |a Томск  |c 2017 
300 |a 1 файл (6 684 KB) 
500 |a Заглавие с титульного экрана 
500 |a Электронная версия печатной публикации 
650 1 0 |a Полупроводники  |x Оптические свойства 
650 1 0 |a Пленки эпитаксиальные  |x Получение 
653 |a электронный ресурс 
653 |a диссертации 
653 |a труды учёных ТПУ 
653 |a люминесценция 
653 |a гетероструктуры 
653 |a облучение 
653 |a электронные пучки 
653 |a сильноточные пучки 
653 |a наноструктурированные материалы 
653 |a люминесцентные свойства 
653 |a нанофотоника 
653 |a оптоэлектроника 
653 |a сапфировые подложки 
653 |a катодолюминесценция 
653 |a сильноточные электронные пучки 
700 1 |a Олешко  |c специалист в области светотехники  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |g Владимир Иванович  |4 727 
856 4 |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/46969