Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Bibliographic Details
Main Author:	Щербаков, И. Д. специалист в области электроники инженер Томского политехнического университета 1995-
Other Authors:	Толбанов (727)
Format:	Book
Language:	Russian
Published:	Томск 2023
Subjects:	Галлий, арсенид Полупроводники > Поверхностные свойства > Влияние облучения физика полупроводниковые сенсоры рентгеновское излучение HR-GaAs детекторные структуры неравновесные электроны спектры фотопроводимость авторефераты диссертаций труды учёных ТПУ
Online Access:	Перейти в каталог НТБ ТПУ

Similar Items

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Щербаков, Иван Дмитриевич
Published: (2023)

Температурные зависимости эффективности сбора заряда сенсоров на основе GaAs:Cr-структур
by: Павлов, Илья Григорьевич

Characterization of GaAs:Cr sensors using the charge-integrating JUNGFRAU readout chip

К фотопроводимости германия и кремния под действием стационарного и импульсного рентгеновского излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Камолдинов, Михаил Гильмутдинович
Published: (1967)

Влияние термообработки на электрические характеристики и эффективность сбора заряда сенсоров рентгеновского излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Щербаков, Иван Дмитриевич
Published: (2023)

Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ
by: Лаврентьева, Людмила Германовна 1931-2008

Microplasma breakdown in GaAs-based avalanche S-diodes doped with deep Fe acceptors
by: Prudaev, Ilya A.

Исследование крупномасштабных неоднородностей в n-GaAs и их влияние на однородность и характеристики HR GaAs:Cr сенсоров ионизирующего излучения

Исследование времени задержки лавинных S-диодов на основе GaAs с глубокими примесными центрами
by: Гальченко, Регина Аркадьевна

Формирование наноразмерных T-образных затворов с использованием метода направленного углового напыления тонких пленок алюминия
by: Кулинич, Иван Владимирович

Спектрометрические характеристики матричных детекторов рентгеновского излучения на основе GaAs:Cr

Гетероструктура ZnS - GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Атакова, М. М.
Published: (1974)

Investigation of GaAs:Cr Timepix assemblies under high flux irradiation

Dependence of X-ray sensitivity of GaAs:Cr sensors on material of contacts

Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Лупин, Владимир Михайлович
Published: (1974)

Автоматизация вакуумной обработки GaAs фотокатодов в промышленной установке сборки приборов

HR-тренды в мировой и российской практике

Актуальные российские HR - тренды, компетенции и вызовы
by: Блинов, Владимир Николаевич

Исследование характеристик арсенида галлия, компенсированного хромом, как материала для сенсоров рентгеновского излучения
by: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

HR #digital #бренд #аналитика #маркетинг
by: Осовицкая, Нина Анатольевна
Published: (2019)

Ключевые роли и задачи HR в современной организации
by: Литвина, Светлана Алексеевна

Применение цифровых инструментов при формировании HR-бренда компании
by: Бобкова, Татьяна Сергеевна

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10/
by: Каменская, И. В. Ирина Валентиновна
Published: (2007)

Мировые HR тренды 2020
by: Капранова, Ольга Владимировна

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение: научное издание/
by: Бурдуков, Ю. М., et al.
Published: (1973)

Влияние методов обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенидгаллиевых сенсоров рентгеновского излучения

Оценка эффективности HR-бренда IT-компании
by: Шавалеева, Элина Борисовна

Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона
Published: (2001)

Разработка типологии уровня цифровизации HR-процессов
by: Сазонова, Анастасия Владимировна

Как цифровые технологии меняют HR
by: Лыско, Елизавета Петровна

Проблемы трансформации традиционного функционала специалиста по управлению персоналом к роли HR-партнера
by: Ботенева, Марина Владимировна

Моделирование эффективности сбора заряда и отношения сигнал/шум сенсоров рентгеновского излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом
by: Голубев, Михаил Сергеевич

Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок [сборник докладов]
Published: (1981)

Измерение высоты потенциального барьера сенсоров на основе GaAs:Cr методом энергии активации
by: Щербаков, Иван Дмитриевич

Фотоэлектрические характеристики детекторных структур на основе GaAs, компенсированного Cr

HR-менеджмент в корпорации Volkswagen Group
by: Полетаев, Дмитрий Александрович

Арсенид галлия: труды: пер. сангл./
Published: (1972)

Определение концентраций EL2 и EL2⁺ центров в ПИ GaAs по спектрам оптического поглощения и фотопроводимости

HR-бренд в системе управление талантами
by: Стебайлова, Юлия Александровна