Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Библиографическая информация
Главный автор:	Щербаков, И. Д. специалист в области электроники инженер Томского политехнического университета 1995-
Другие авторы:	Толбанов (727)
Формат:	Книга
Язык:	Russian
Публикация:	Томск 2023
Предметы:	Галлий, арсенид Полупроводники > Поверхностные свойства > Влияние облучения физика полупроводниковые сенсоры рентгеновское излучение HR-GaAs детекторные структуры неравновесные электроны спектры фотопроводимость авторефераты диссертаций труды учёных ТПУ
Online-ссылка:	Перейти в каталог НТБ ТПУ

Похожие документы

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Щербаков, Иван Дмитриевич
Публикация: (2023)

Температурные зависимости эффективности сбора заряда сенсоров на основе GaAs:Cr-структур
по: Павлов, Илья Григорьевич

Characterization of GaAs:Cr sensors using the charge-integrating JUNGFRAU readout chip

К фотопроводимости германия и кремния под действием стационарного и импульсного рентгеновского излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Камолдинов, Михаил Гильмутдинович
Публикация: (1967)

Влияние термообработки на электрические характеристики и эффективность сбора заряда сенсоров рентгеновского излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Щербаков, Иван Дмитриевич
Публикация: (2023)

Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ
по: Лаврентьева, Людмила Германовна 1931-2008

Microplasma breakdown in GaAs-based avalanche S-diodes doped with deep Fe acceptors
по: Prudaev, Ilya A.

Исследование крупномасштабных неоднородностей в n-GaAs и их влияние на однородность и характеристики HR GaAs:Cr сенсоров ионизирующего излучения

Исследование времени задержки лавинных S-диодов на основе GaAs с глубокими примесными центрами
по: Гальченко, Регина Аркадьевна

Формирование наноразмерных T-образных затворов с использованием метода направленного углового напыления тонких пленок алюминия
по: Кулинич, Иван Владимирович

Спектрометрические характеристики матричных детекторов рентгеновского излучения на основе GaAs:Cr

Гетероструктура ZnS - GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Атакова, М. М.
Публикация: (1974)

Investigation of GaAs:Cr Timepix assemblies under high flux irradiation

Dependence of X-ray sensitivity of GaAs:Cr sensors on material of contacts

Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Лупин, Владимир Михайлович
Публикация: (1974)

Автоматизация вакуумной обработки GaAs фотокатодов в промышленной установке сборки приборов

HR-тренды в мировой и российской практике

Актуальные российские HR - тренды, компетенции и вызовы
по: Блинов, Владимир Николаевич

Исследование характеристик арсенида галлия, компенсированного хромом, как материала для сенсоров рентгеновского излучения
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

HR #digital #бренд #аналитика #маркетинг
по: Осовицкая, Нина Анатольевна
Публикация: (2019)

Ключевые роли и задачи HR в современной организации
по: Литвина, Светлана Алексеевна

Применение цифровых инструментов при формировании HR-бренда компании
по: Бобкова, Татьяна Сергеевна

Мировые HR тренды 2020
по: Капранова, Ольга Владимировна

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10/
по: Каменская, И. В. Ирина Валентиновна
Публикация: (2007)

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение: научное издание/
по: Бурдуков, Ю. М., et al.
Публикация: (1973)

Влияние методов обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенидгаллиевых сенсоров рентгеновского излучения

Оценка эффективности HR-бренда IT-компании
по: Шавалеева, Элина Борисовна

Разработка типологии уровня цифровизации HR-процессов
по: Сазонова, Анастасия Владимировна

Как цифровые технологии меняют HR
по: Лыско, Елизавета Петровна

Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона
Публикация: (2001)

Проблемы трансформации традиционного функционала специалиста по управлению персоналом к роли HR-партнера
по: Ботенева, Марина Владимировна

Моделирование эффективности сбора заряда и отношения сигнал/шум сенсоров рентгеновского излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом
по: Голубев, Михаил Сергеевич

Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок [сборник докладов]
Публикация: (1981)

Измерение высоты потенциального барьера сенсоров на основе GaAs:Cr методом энергии активации
по: Щербаков, Иван Дмитриевич

Фотоэлектрические характеристики детекторных структур на основе GaAs, компенсированного Cr

HR-менеджмент в корпорации Volkswagen Group
по: Полетаев, Дмитрий Александрович

Арсенид галлия: труды: пер. сангл./
Публикация: (1972)

Определение концентраций EL2 и EL2⁺ центров в ПИ GaAs по спектрам оптического поглощения и фотопроводимости

HR-бренд в системе управление талантами
по: Стебайлова, Юлия Александровна