Расчет ширины спектральной линии прямого экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зоной

Исследуется рассеяние на коротковолновых фононах в ультратонких сверхрешетках (AlAs)n(GaAs)m (n, m=1, 2, 3) с ориентацией гетерограницы (001). Электронные состояния изучены методом псевдопотенциала, колебательный спектр рассчитан методом сильной связи. Размерное квантование приводит к сложному много...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Обухов, С. В. физик доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук 1984-
Other Authors: Тютерев
Format: Book
Language:Russian
Published: Томск 2011
Subjects:
Online Access:Перейти в каталог НТБ ТПУ
LEADER 03616nam a2200229 4500
001 libtpu00601957
008 150422 20110824ru 0000 m rus
035 0 0 |a (RuTPU)RUTPUtpu27145 
035 0 0 |a RUTPUtpu26868 
040 |a RU  |b rus  |c RU  |d Ru-TPU 
040 |a RU  |c RU  |d Ru-TPU 
100 1 |a Обухов, С. В.  |c физик  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |d 1984- 
245 1 0 |a Расчет ширины спектральной линии прямого экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зоной  |c С. В. Обухов, В. Г. Тютерев 
260 |a Томск  |c 2011 
300 |a 20 с.  |b ил. 
500 |a Деп. в ВИНИТИ РАН 24.08.2011, ' 391-В2011 
504 |a Библиогр.: 17 назв. 
520 |a Исследуется рассеяние на коротковолновых фононах в ультратонких сверхрешетках (AlAs)n(GaAs)m (n, m=1, 2, 3) с ориентацией гетерограницы (001). Электронные состояния изучены методом псевдопотенциала, колебательный спектр рассчитан методом сильной связи. Размерное квантование приводит к сложному многодолинному устройству зоны проводимости и увеличению числа фононных ветвей. В зоне проводимости сверхрешеток возникают долины (Г1, Г3, M5 X3, X1) с близкими энергиями. Наиболее интенсивное рассеяние между этими долинами происходит с участием фононов с симметрией М5 X1, X3. Показано, что смешивание состояний сфалеритных L долин тетрагональной компонентой потенциала играет в междолинном рассеяние для сверхрешеток более существенную роль, чем смешивание Г и Х состояний. В целом рассеяние в сверхрешетках более интенсивно, что в твердых растворах, причем у аналогов Г-L, Г-Х и L-L переходов зависимость от состава носит немонотонный характер. Как показывает анализ распределения электронной плотности, это непосредственно связано с эффектами размерного квантования, приводящими к локализации волновой функции в пределах достаточно глубоких Г и L квантовых ям. Найденные потенциалы позволяют получить более точное описание транспортных свойств структур GaAs/AlAs(001) с учетом двух основных механизмов рассеяния электронов-на гетерограницах и фононах. 
653 |a труды учёных ТПУ 
653 |a депонированные рукописи 
700 1 |a Тютерев 
856 |y Перейти в каталог НТБ ТПУ  |u https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=601957