Расчет ширины спектральной линии прямого экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зоной - Обухов, С. В. физик доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук 1984- (2011)
Исследуется рассеяние на коротковолновых фононах в ультратонких сверхрешетках (AlAs)n(GaAs)m (n, m=1, 2, 3) с ориентацией гетерограницы (001). Электронные состояния изучены методом псевдопотенциала, колебательный спектр рассчитан методом сильной связи. Размерное квантование приводит к сложному многодолинному устройству зоны проводимости и увеличению числа фононных ветвей. В зоне проводимости сверхрешеток возникают долины (Г1, Г3, M5 X3, X1) с близкими энергиями. Наиболее интенсивное рассеяние между этими долинами происходит с участием фононов с симметрией М5 X1, X3. Показано, что смешивание состояний сфалеритных L долин тетрагональной компонентой потенциала играет в междолинном рассеяние для сверхрешеток более существенную роль, чем смешивание Г и Х состояний. В целом рассеяние в сверхрешетках более интенсивно, что в твердых растворах, причем у аналогов Г-L, Г-Х и L-L переходов зависимость от состава носит немонотонный характер. Как показывает анализ распределения электронной плотности, это непосредственно связано с эффектами размерного квантования, приводящими к локализации волновой функции в пределах достаточно глубоких Г и L квантовых ям. Найденные потенциалы позволяют получить более точное описание транспортных свойств структур GaAs/AlAs(001) с учетом двух основных механизмов рассеяния электронов-на гетерограницах и фононах.