20th International Symposium on High-Current Electronics (ISHCE) proceedings, Tomsk, Russia, September 16-22, 2018

Библиографическая информация
Соавтор: International Symposium on High-Current Electronics (ISHCE)
Формат: Материалы конференции Книга
Язык:English
Публикация: [S. l.] IEEE 2018
Предметы:
Online-ссылка:https://ieeexplore.ieee.org/xpl/mostRecentIssue.jsp?punumber=8496739
LEADER 01278nlm a2200289 4500
001 libtpu00659342
008 190212 2018 a 0100 m eng
035 0 0 |a (RuTPU)RUTPUnetwork27883 
040 |a RU  |b eng  |c RU  |d Ru-TPU 
080 |a 621.38(063) 
245 1 0 |a 20th International Symposium on High-Current Electronics (ISHCE)  |b proceedings, Tomsk, Russia, September 16-22, 2018  |c National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 
260 |a [S. l.]  |b IEEE  |c 2018 
500 |a Title screen 
650 1 0 |a Электроника 
653 |a конференции 
653 |a труды учёных ТПУ 
653 |a электронный ресурс 
653 |a сильноточная электроника 
653 |a численное моделирование 
653 |a ионные пучки 
653 |a высокоэнергетические частицы 
653 |a плазменные источники 
653 |a электромагнитные волны 
653 |a излучение 
710 |a International Symposium on High-Current Electronics (ISHCE) 
711 |c Symposium  |f 20 
856 4 |u https://ieeexplore.ieee.org/xpl/mostRecentIssue.jsp?punumber=8496739