Особенности локальной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводниковых систем As-Ge-Se(Te)
Meтодами дифракции рентгеновских лучей и комбинационного рассеяния света исследованы особенности локальной структуры, на уровне ближнего и среднего порядков, халькогенидных стеклообразных полупроводниковых систем As-Ge-Se(Te), а также основные структурные элементы и химические связи, образующие ам...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 3. С. 3-9 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001000071 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Summary: | Meтодами дифракции рентгеновских лучей и комбинационного рассеяния света исследованы особенности локальной структуры, на уровне ближнего и среднего порядков, халькогенидных стеклообразных полупроводниковых систем As-Ge-Se(Te), а также основные структурные элементы и химические связи, образующие аморфную матрицу. Наблюдаемые изменения параметров локальной структуры и аморфной матрицы в зависимости от химического состава объяснены с учетом основных принципов модели подхода химической связи. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 32 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |
| Access: | Ограниченный доступ |