Особенности локальной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводниковых систем As–Ge–Se(Te)
Meтодами дифракции рентгеновских лучей и комбинационного рассеяния света исследованы особенности локальной структуры, на уровне ближнего и среднего порядков, халькогенидных стеклообразных полупроводниковых систем As–Ge–Se(Te), а также основные структурные элементы и химические связи, образующие амор...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 3. С. 3-9 |
|---|---|
| Другие авторы: | Мамедова, Хумай Ибрагим гызы, Исаев, Абасат Иса оглы, Мехтиева, Салима Ибрагим гызы, Алекберов, Рагим Ибад оглы |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001000071 |
Похожие документы
-
Фотостимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах и халькогенидных стеклообразных полупроводниках при записи объемных голограмм Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.05
по: Попов, Андрей Юрьевич
Публикация: (1995) -
Фотоэмиссионные исследования фотоструктурных превращений в ХСП системы As-Se
по: Дзюркевич, Н. С. -
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ Справочник
Публикация: (1979) -
Фотомагнетизм Сборник статей
Публикация: (1993) -
Металлофизика республиканский межведомственный сборник
Публикация: (1978)
