|
|
|
|
| LEADER |
02724nab a2200361 c 4500 |
| 001 |
koha001002653 |
| 005 |
20240723104059.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
230530|2003 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001002653
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Детекторы рентгеновского и γ-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия
|c Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин [и др.]
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 10 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a В статье обобщаются результаты работы по созданию полупроводниковых структур для детекторов рентгеновских и γ-излучений на основе компенсированных хромом эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращиваемых методом жидкофазной эпитаксии. Приводятся сведения о параметрах слоев GaAs:Sn,Cr и структуре изготавливаемых на их основе детекторов. Обсуждаются электрические характеристики детекторов и их чувствительность к α-, β- и γ- излучениям. Отмечены проблемы, которые необходимо решить на пути создания линеек детекторов для рентгеновских диагностических систем.
|
| 653 |
|
|
|a полупроводники
|
| 653 |
|
|
|a детекторы рентгеновского излучения
|
| 653 |
|
|
|a детекторы гамма-излучения
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия
|
| 653 |
|
|
|a жидкофазная эпитаксия
|
| 653 |
|
|
|a эпитаксиальные структуры
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Айзенштат, Геннадий Исаакович
|
| 700 |
1 |
|
|a Гермогенов, Валерий Петрович
|
| 700 |
1 |
|
|a Гущин, Сергей Михайлович
|
| 700 |
1 |
|
|a Толбанов, Олег Петрович
|
| 700 |
1 |
|
|a Шмаков, Олег Геннадьевич
|
| 773 |
0 |
|
|t Вестник Томского государственного университета
|d 2003
|g № 278. С. 81-86
|x 1561-7793
|w 0065-98160
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001002653
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1002653
|d 1002653
|
