Детекторы рентгеновского и γ-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия - Айзенштат, Геннадий Исаакович; Гермогенов, Валерий Петрович; Гущин, Сергей Михайлович; Толбанов, Олег Петрович; Шмаков, Олег Геннадьевич (Вестник Томского государственного университета)
В статье обобщаются результаты работы по созданию полупроводниковых структур для детекторов рентгеновских и γ-излучений на основе компенсированных хромом эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращиваемых методом жидкофазной эпитаксии. Приводятся сведения о параметрах слоев GaAs:Sn,Cr и структуре изготавливаемых на их основе детекторов. Обсуждаются электрические характеристики детекторов и их чувствительность к α-, β- и γ- излучениям. Отмечены проблемы, которые необходимо решить на пути создания линеек детекторов для рентгеновских диагностических систем.