Детекторы рентгеновского и γ-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия
В статье обобщаются результаты работы по созданию полупроводниковых структур для детекторов рентгеновских и γ-излучений на основе компенсированных хромом эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращиваемых методом жидкофазной эпитаксии. Приводятся сведения о параметрах слоев GaAs:Sn,Cr и структуре из...
| Published in: | Вестник Томского государственного университета № 278. С. 81-86 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001002653 |