Equilibrium concentration of kinks on the SB steps of the Si(100) surface
The temperature and time dependences of the concentration of kinks on the S-A and S-B steps perpendicular to the upper-terrace dimer rows on the Si(100) surface with an inclination of 0.5 degrees are established. The numbers of step kinks are determined from atomic-resolution scanning tunneling micr...
| Опубликовано в: : | Journal of surface investigation: X-ray, synchrotron and neutron techniques Vol. 16, № 1. P. 140-144 |
|---|---|
| Главный автор: | Yesin, Michail Yu |
| Другие авторы: | Teys, Sergey A., Nikiforov, Alexander I. |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | English |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001002743 |
Похожие документы
- Unoccupied topological surface state in Bi2Te2Se
-
Исследование фрактальных характеристик усталостных изломов ZTA композитов по РЭМ-изображениям
по: Коробенков, Максим Викторович - Oxygen-induced changes of the Au30Pd70(110) surface structure and composition under increasing O2 pressure
- Morphology, structure, and optical properties of semiconductor films with GeSiSn nanoislands and strained layers
-
Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур: Учебное пособие для вузов/
по: Рыков Сергей Александрович
Публикация: (2001)
