Темновые токи униполярных NbνN структур на основе HgCdTe
В работе приводятся результаты экспериментального исследования NBvN-структур созданных на основе эпитаксиальной пленки твердых растворов теллурида кадмия и ртути (Hg1-xCdxTe) с содержанием CdTe x=0.303 в поглощающем ν-слое толщиной 4.4 мкм, перспективных для создания эффективных приемников излучения...
| Published in: | Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума, 14-17 марта 2022 г., Нижний Новгород Т. 2 : Секция 3. С. 720-721 |
|---|---|
| Other Authors: | Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Меньшиков, Р. В., Сидоров, Георгий Юрьевич, Ужаков, Иван Николаевич, Якушев, Максим Витальевич |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001002754 |
Similar Items
- Радиационные эффекты в HgCdTe
- Униполярные барьерные структуры на основе МЛЭ HgCdTe
- Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis
- Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe
- The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films
