Динамика сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур по Странскому-Крастанову
В данной работе проводится анализ сверхструктурных переходов при эпитаксиальном росте двумерных слоев и формировании квантовых точек по механизму Странского – Крастанова в упруго-напряженных системах методом дифракции быстрых электронов....
| Published in: | Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума, 14-17 марта 2022 г., Нижний Новгород Т. 2 : Секция 3. С. 907 |
|---|---|
| Other Authors: | Лозовой, Кирилл Александрович, Дирко, Владимир Владиславович, Коханенко, Андрей Павлович, Кукенов, Олжас Игоревич, Винарский, Владимир Петрович |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001002755 |
Similar Items
- Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111)
-
Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава
by: Войцеховский, Александр Васильевич - High-resolution RHEED analysis of dynamics of low-temperature superstructure transitions in Ge/Si(001) epitaxial system
-
Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
by: Лозовой, Кирилл Александрович -
Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces
by: Lozovoy, Kirill A.
