Динамика сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур по Странскому-Крастанову

Динамика сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур по Странскому-Крастанову

В данной работе проводится анализ сверхструктурных переходов при эпитаксиальном росте двумерных слоев и формировании квантовых точек по механизму Странского – Крастанова в упруго-напряженных системах методом дифракции быстрых электронов....

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума, 14-17 марта 2022 г., Нижний Новгород Т. 2 : Секция 3. С. 907
Другие авторы:	Лозовой, Кирилл Александрович, Дирко, Владимир Владиславович, Коханенко, Андрей Павлович, Кукенов, Олжас Игоревич, Винарский, Владимир Петрович
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	Странского-Крастанова переход сверхструктурные переходы эпитаксиальный рост дифракция быстрых электронов статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001002755

Похожие документы

Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111)

Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава
по: Войцеховский, Александр Васильевич

High-resolution RHEED analysis of dynamics of low-temperature superstructure transitions in Ge/Si(001) epitaxial system

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces
по: Lozovoy, Kirill A.

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
по: Lozovoy, Kirill A.

Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces
по: Kokhanenko, Andrey P.

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Дирко, Владимир Владиславович
Публикация: (2022)

Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Исследование эпитаксиального роста германия методом дифракции электронов
по: Серохвостов, Вячеслав Юрьевич

Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100]

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Комплексная система обработки дифракционных картин в ДБЭО

Comparative analysis of pyramidal and wedge-like quantum dots formation kinetics in Ge/Si(001) system

Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии

Dispersive optical parameters of Ni(100) crystal and thermally evaporated nickel films

Анализ дифракционных картин при синтезе наногетероструктур Ge/Si

Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур монография
по: Бычков, Андрей Александрович
Публикация: (2021)

Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование

Картины дифракции структур 1x2 и 2x1 при эпитаксии Si на Si(100)

Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
по: Кукенов, Олжас Игоревич

МЛЭ нанокластеры GE на поверхности Si(100). Картины ДБЭ и АСМ-изображения
по: Торопов, Никита Александрович

Контроль эпитаксиального роста тонких пленок кремния и германия методами дифракции электронов и кварцевым измерителем толщины
по: Заяханов, Владимир Александрович

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
по: Ворсин, Олег Игоревич

Исследование эпитаксиального роста тонких пленок кремния и германия методами дифракции электронов и с помощью кварцевого измерителя толщины
по: Дирко, Владимир Владиславович

Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии учебно-методическое пособие : для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов
Публикация: (2023)

Влияние электронного пучка дифракции быстрых электронов на морфологию поверхности гетероструктур CaF2/Si(100)
по: Остертак, Д. И.

Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface

Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge

Исследование электронно-дырочных переходов и структур в эпитаксиальном арсениде галлия, выращенном из газовой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Вилисова, Мария Дмитриевна
Публикация: (1972)

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
по: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Использование формализма матриц рассеяния в расчетах осцилляций зеркального рефлекса в дифракции на отражение при МЛЭ

Экспериментальные методы физики твердого тела учебное пособие
по: Фомин, Дмитрий Владимирович
Публикация: (2019)

Vibrational spectroscopy and theory of alkali metal adsorption and co-adsorption on single-crystal surfaces

Структурно-фазовое состояние вольфрамовых межслойных переходов и его влияние на механические характеристики металлокерамических плат диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук : 2.6.17
по: Ермолаев, Евгений Валерьевич
Публикация: (2024)

Физическая электроника. Эмиссия и взаимодействие частиц с твердым телом учебное пособие
по: Владимиров, Георгий Георгиевич
Публикация: (2013)

Magnetic interactions in NiO at ultrahigh pressure

Structural disorder and kinetic properties of graphene at low temperatures