Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures

The size effect observed in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts (OCs) makes itself evident in the dependence of their relative electrical characteristics R (SH) , R (SK) , rho and geometrical parameter L (T) on the LTLM test line width W-k . The paper explores the geometry of relief (topography) irregularit...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Semiconductor science and technology Vol. 37, № 5. P. 055023
Другие авторы:	Torkhov, Nikolay A., Gradoboev, Alexandr V., Orlova, K. N., Toropov, A. S.
Формат:	Статья в журнале
Язык:	English
Предметы:	омические контакты гетероэпитаксиальные структуры размерные эффекты статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001003553

Похожие документы

Многослойные гетероструктуры AIN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых СВЧ-транзисторов

Кинетика фотолюминесценции двумерного электронного газа в гетероструктуре GaN/AlGaN
по: Коржавина, Н. С.

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Самосогласованный расчет туннельного тока в нитридных структурах GaN/AlGaN(0001)
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Модель гистерезиса туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w- GaN/AlGaN(0001)
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD
по: Курчин, Константин Николаевич

Радиационно-стимулированное и микроволновое геттерирование в НЕМТ на основе AlGaN/GaN и AlGaAs/GaAs гетероструктур

Научно-технологические проблемы создания полупроводниковых приборов нового поколения на гетероструктурах типа AlGaN/GaN

InAlN/GaN HEMT-транзистор гигагерцового диапазона
по: Брудный, Павел Александрович

Плазменное травление в технологии InAlN/GaN HEMT

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
по: Брудный, Валентин Натанович

Features of radiation changes in electrical properties of InAlN/GaN HEMTs

Фотолюминесценция структур с GaN квантовыми точками в матрице AlN
по: Ри, Д. Д.

Diffusion of magnesium in LED structures with InGaN/GaN quantum wells at true growth temperatures 860-980°C of p-GaN
по: Romanov, I. S.

Численное моделирование светодиодных структур на основе GaN/InGaN
по: Иванова, Елизавета Сергеевна

Physical mechanisms of the influence of γ-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n–n+-GaN Schottky contacts

BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование
по: Брудный, Валентин Натанович

UV photodetectors based on wide-gap AlGaN semiconductors
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

GaN-Based Laser Diodes Towards Longer Wavelengths and Short Pulses /
по: Scheibenzuber, Wolfgang G.
Публикация: (2012)

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Поляризационные свойства MQW-гетероструктур из InGaN/GaN при нагреве
по: Давыдов, Валерий Николаевич

The surface roughening of GaN by wet chemical etching

GaN and ZnO-based Materials and Devices
Публикация: (2012)

AFM study of charging of the Au-n-GaAs contact
по: Shmargunov, A. V.

Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures

Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
по: Романов, Иван Сергеевич

Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
по: Копьев, Виктор Васильевич

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Особенности энергетического спектра электронов гексагонального GaN и его твердых растворов YxGa1–xN (Y ≡ B, Al, In)
по: Литинский, Аркадий Овсеевич

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5/
по: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
Публикация: (2023)

Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5/
по: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
Публикация: (2023)

Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления
по: Засухин, Дмитрий Иннокентьевич

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AlN автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Александров, Иван Анатольевич
Публикация: (2015)

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates