Skip to content
  • Language
    • English
    • Русский

Advanced
  • Модель поверхностной сегрегаци...
  • Cite this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Модель поверхностной сегрегации примеси при легировании в системах молекулярно-лучевой эпитаксии

Модель поверхностной сегрегации примеси при легировании в системах молекулярно-лучевой эпитаксии

Bibliographic Details
Published in:Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия С. 35-37
Main Author: Ишков, Арман Дмитриевич
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
молекулярно-лучевая эпитаксия
поверхностная сегрегация примеси
легирование
дельта-легированные слои
статьи в сборниках
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004054
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View
Description
Bibliography:Библиогр.: 3 назв.

Similar Items

  • Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
    by: Ишков, Арман Дмитриевич
  • О накоплении примеси в адсорбционном слое в процессе легирования при молекулярно–лучевой эпитаксии
    by: Эрвье, Юрий Юрьевич
  • Замедление преципитации мышьяка в присутствии фосфора в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
  • Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
    by: Цаплин, В. Б.
  • Поверхностные процессы при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия
|   Advanced Search   |   Search Tips   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Loading...