Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Модель поверхностной сегрегаци...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
Модель поверхностной сегрегации примеси при легировании в системах молекулярно-лучевой эпитаксии

Модель поверхностной сегрегации примеси при легировании в системах молекулярно-лучевой эпитаксии

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия С. 35-37
Главный автор: Ишков, Арман Дмитриевич
Формат: Статья в сборнике
Язык:Russian
Предметы:
молекулярно-лучевая эпитаксия
поверхностная сегрегация примеси
легирование
дельта-легированные слои
статьи в сборниках
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004054
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004054

Похожие документы

  • Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
    по: Ишков, Арман Дмитриевич
  • О накоплении примеси в адсорбционном слое в процессе легирования при молекулярно–лучевой эпитаксии
    по: Эрвье, Юрий Юрьевич
  • Замедление преципитации мышьяка в присутствии фосфора в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
  • Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
    по: Цаплин, В. Б.
  • Поверхностные процессы при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...