Модель поверхностной сегрегации примеси при легировании в системах молекулярно-лучевой эпитаксии
| Published in: | Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия С. 35-37 |
|---|---|
| Main Author: | Ишков, Арман Дмитриевич |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004054 |
Similar Items
-
Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
by: Ишков, Арман Дмитриевич -
О накоплении примеси в адсорбционном слое в процессе легирования при молекулярно–лучевой эпитаксии
by: Эрвье, Юрий Юрьевич - Замедление преципитации мышьяка в присутствии фосфора в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
-
Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
by: Цаплин, В. Б. - Поверхностные процессы при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия
