Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)

Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)

В ходе исследования роста эпитаксиальных пленок кремния методом дифракции быстрых электронов, определён принципиально разный характер колебаний интенсивности дифракции при различных направлениях....

Full description

Bibliographic Details
Published in:	Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия С. 42-44
Main Author:	Кукенов, Олжас Игоревич
Other Authors:	Дирко, Владимир Владиславович
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	дифракция быстрых электронов эпитаксиальные слои кремния молекулярно-лучевая эпитаксия полупроводниковые наноструктуры статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004056

Description
Summary:	В ходе исследования роста эпитаксиальных пленок кремния методом дифракции быстрых электронов, определён принципиально разный характер колебаний интенсивности дифракции при различных направлениях.
Bibliography:	Библиогр.: 3 назв.