Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)

В ходе исследования роста эпитаксиальных пленок кремния методом дифракции быстрых электронов, определён принципиально разный характер колебаний интенсивности дифракции при различных направлениях....

Full description

Bibliographic Details
Published in:Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия С. 42-44
Main Author: Кукенов, Олжас Игоревич
Other Authors: Дирко, Владимир Владиславович
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004056
LEADER 01870naa a2200301 c 4500
001 koha001004056
005 20241212180512.0
007 cr |
008 230627s2022 ru fs 100 0 rus d
035 |a koha001004056 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Кукенов, Олжас Игоревич 
245 1 0 |a Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)  |c О. И. Кукенов, В. В. Дирко 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 3 назв. 
520 3 |a В ходе исследования роста эпитаксиальных пленок кремния методом дифракции быстрых электронов, определён принципиально разный характер колебаний интенсивности дифракции при различных направлениях. 
653 |a дифракция быстрых электронов 
653 |a эпитаксиальные слои кремния 
653 |a молекулярно-лучевая эпитаксия 
653 |a полупроводниковые наноструктуры 
655 4 |a статьи в сборниках 
700 1 |a Дирко, Владимир Владиславович 
773 0 |t Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия  |d Томск, 2022  |g С. 42-44 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004056 
908 |a статья 
999 |c 1004056  |d 1004056