Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100) - Кукенов, Олжас Игоревич (Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия)
В ходе исследования роста эпитаксиальных пленок кремния методом дифракции быстрых электронов, определён принципиально разный характер колебаний интенсивности дифракции при различных направлениях.