Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)

Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)

В ходе исследования роста эпитаксиальных пленок кремния методом дифракции быстрых электронов, определён принципиально разный характер колебаний интенсивности дифракции при различных направлениях....

Full description

Bibliographic Details
Published in:	Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия С. 42-44
Main Author:	Кукенов, Олжас Игоревич
Other Authors:	Дирко, Владимир Владиславович
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	дифракция быстрых электронов эпитаксиальные слои кремния молекулярно-лучевая эпитаксия полупроводниковые наноструктуры статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004056

Similar Items

Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100]

Картины дифракции структур 1x2 и 2x1 при эпитаксии Si на Si(100)

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
by: Ворсин, Олег Игоревич

Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
by: Кукенов, Олжас Игоревич

МЛЭ нанокластеры GE на поверхности Si(100). Картины ДБЭ и АСМ-изображения
by: Торопов, Никита Александрович

Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии

Анализ дифракционных картин при синтезе наногетероструктур Ge/Si

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Влияние электронного пучка дифракции быстрых электронов на морфологию поверхности гетероструктур CaF2/Si(100)
by: Остертак, Д. И.

Комплексная система обработки дифракционных картин в ДБЭО

Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование

Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
by: Серохвостов, Вячеслав Юрьевич

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Дирко, Владимир Владиславович
Published: (2022)

Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Кравцова, Наталья Сергеевна

Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)
by: Sokolov, А. S.

Surface structure of thin pseudomorphous GeSi layers
by: Nikiforov, Alexander I.

Контроль эпитаксиального роста тонких пленок кремния и германия методами дифракции электронов и кварцевым измерителем толщины
by: Заяханов, Владимир Александрович

Синтез квантовых точек Ge на Si(100) и Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Дирко, Владимир Владиславович

RHEED patterns from 2x1 and 1x2 superstructures during epitaxy of Si on Si(100)
by: Dyukov, I. Y.

Исследование эпитаксиального роста тонких пленок кремния и германия методами дифракции электронов и с помощью кварцевого измерителя толщины
by: Дирко, Владимир Владиславович

Influence of the preliminary annealing conditions on step motion at the homoepitaxy on the Si(100) surface

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
by: Духан, Рахаф М. Х.

Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method

Особенности получения квантовых точек Ge на поверхности Si (100)
by: Турапин, Алексей Михайлович

Методы контроля скорости напыления кремния и германия при МЛЭ
by: Дирко, Владимир Владиславович

Совершенствование технологии синтеза гетероструктур Si/Ge c квантовыми точками Ge методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Пищагин, Антон Александрович

Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии учебно-методическое пособие : для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов
Published: (2023)

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
by: Ишков, Арман Дмитриевич

Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces
by: Kokhanenko, Andrey P.

Studying the formation of Si (100) stepped surface in molecular-beam epitaxy

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
by: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
by: Коханенко, Андрей Павлович

Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001)

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
by: Войцеховский, Александр Васильевич