Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Поиск
  • Численное моделирование полупр...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
Численное моделирование полупроводниковых устройств на основе пентацена

Численное моделирование полупроводниковых устройств на основе пентацена

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия С. 51-53
Главный автор: Курчин, Константин Николаевич
Формат: Статья в сборнике
Язык:Russian
Предметы:
пентацен
полупроводниковые устройства
органические пленки
статьи в сборниках
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004062
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004062

Похожие документы

  • Адмиттанс многослойных органо-неорганических систем на основе пентацена в широком диапазоне температур
  • Влияние нанесения LiF на электрические характеристики тонких пленок пентацена
    по: Терещенко, Евгений Васильевич
  • Электрические характеристики полевого транзистора на основе пентацена
    по: Терещенко, Евгений Васильевич
  • Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2
  • Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...