Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами
Исследованы наногетероструктуры с множественными квантовыми ямами Ge0.84Si0.076Sn0.084/Ge/Si, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках, включая структуры с Ge квантовыми точками. Образцы были подвергнуты двум методам отжига: продолжительному - в течение 10 мин в квар...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 5. С. 60-66 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004114 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Summary: | Исследованы наногетероструктуры с множественными квантовыми ямами Ge0.84Si0.076Sn0.084/Ge/Si, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках, включая структуры с Ge квантовыми точками. Образцы были подвергнуты двум методам отжига: продолжительному - в течение 10 мин в кварцевой печи в атмосфере аргона, и быстрому - в течение 1 мин галогеновой лампой в аналогичной атмосфере. Показано, что для структур с множественными квантовыми ямами Ge0.84Si0.076Sn0.084/Ge/Si быстрый отжиг галогеновой лампой позволяет заметно уменьшить сдвиг положения пика фотолюминесценции по сравнению с медленным высокотемпературным отжигом образцов, что свидетельствует о сниженном влиянии диффузии олова из узкозонного слоя квантовой ямы. Тот же эффект наблюдался при отжиге структур с квантовыми точками германия, что позволило предположить, что при быстром отжиге галогеновой лампой параметры квантовых точек, расположенных над слоями Ge0.84Si0.076Sn0.084, не успевают измениться столь существенно, как при продолжительном отжиге в кварцевой печи. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 25 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |
| Access: | Ограниченный доступ |