| Итог: | Исследованы наногетероструктуры с множественными квантовыми ямами Ge0.84Si0.076Sn0.084/Ge/Si, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках, включая структуры с Ge квантовыми точками. Образцы были подвергнуты двум методам отжига: продолжительному – в течение 10 мин в кварцевой печи в атмосфере аргона, и быстрому – в течение 1 мин галогеновой лампой в аналогичной атмосфере. Показано, что для структур с множественными квантовыми ямами Ge0.84Si0.076Sn0.084/Ge/Si быстрый отжиг галогеновой лампой позволяет заметно уменьшить сдвиг положения пика фотолюминесценции по сравнению с медленным высокотемпературным отжигом образцов, что свидетельствует о сниженном влиянии диффузии олова из узкозонного слоя квантовой ямы. Тот же эффект наблюдался при отжиге структур с квантовыми точками германия, что позволило предположить, что при быстром отжиге галогеновой лампой параметры квантовых точек, расположенных над слоями Ge0.84Si0.076Sn0.084, не успевают измениться столь существенно, как при продолжительном отжиге в кварцевой печи.
|
|---|
