Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами

Исследованы наногетероструктуры с множественными квантовыми ямами Ge0.84Si0.076Sn0.084/Ge/Si, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках, включая структуры с Ge квантовыми точками. Образцы были подвергнуты двум методам отжига: продолжительному – в течение 10 мин в кварц...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 5. С. 60-66
Other Authors: Коляда, Дмитрий Владимирович, Фирсов, Дмитрий Дмитриевич, Тимофеев, Вячеслав Алексеевич, Машанов, Владимир Иванович, Скворцов, Илья Владимирович, Есин, Михаил Юрьевич, Петрушков, Михаил Олегович, Комков, Олег Сергеевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004114
LEADER 04032nab a2200433 c 4500
001 koha001004114
005 20240724122218.0
007 cr |
008 230629|2023 ru s c rus d
024 7 |a 10.17223/00213411/66/5/8  |2 doi 
035 |a koha001004114 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами  |c Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, В. А. Тимофеев [и др.] 
246 1 1 |a Influence of different annealing types on the infrared photoluminescence of GeSiSn/Ge/Si multiple quantum well nanostructures 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 25 назв. 
506 |a Ограниченный доступ 
520 3 |a Исследованы наногетероструктуры с множественными квантовыми ямами Ge0.84Si0.076Sn0.084/Ge/Si, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках, включая структуры с Ge квантовыми точками. Образцы были подвергнуты двум методам отжига: продолжительному – в течение 10 мин в кварцевой печи в атмосфере аргона, и быстрому – в течение 1 мин галогеновой лампой в аналогичной атмосфере. Показано, что для структур с множественными квантовыми ямами Ge0.84Si0.076Sn0.084/Ge/Si быстрый отжиг галогеновой лампой позволяет заметно уменьшить сдвиг положения пика фотолюминесценции по сравнению с медленным высокотемпературным отжигом образцов, что свидетельствует о сниженном влиянии диффузии олова из узкозонного слоя квантовой ямы. Тот же эффект наблюдался при отжиге структур с квантовыми точками германия, что позволило предположить, что при быстром отжиге галогеновой лампой параметры квантовых точек, расположенных над слоями Ge0.84Si0.076Sn0.084, не успевают измениться столь существенно, как при продолжительном отжиге в кварцевой печи. 
653 |a молекулярно-лучевая эпитаксия 
653 |a раствор твердый 
653 |a наногетероструктуры 
653 |a множественные квантовые ямы 
653 |a отжиг 
653 |a фотолюминесценция 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Коляда, Дмитрий Владимирович 
700 1 |a Фирсов, Дмитрий Дмитриевич 
700 1 |a Тимофеев, Вячеслав Алексеевич 
700 1 |a Машанов, Владимир Иванович 
700 1 |a Скворцов, Илья Владимирович 
700 1 |a Есин, Михаил Юрьевич 
700 1 |a Петрушков, Михаил Олегович 
700 1 |a Комков, Олег Сергеевич 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2023  |g Т. 66, № 5. С. 60-66  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004114 
908 |a статья 
999 |c 1004114  |d 1004114