Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами - Коляда, Дмитрий Владимирович; Фирсов, Дмитрий Дмитриевич; Тимофеев, Вячеслав Алексеевич; Машанов, Владимир Иванович; Скворцов, Илья Владимирович; Есин, Михаил Юрьевич; Петрушков, Михаил Олегович; Комков, Олег Сергеевич (Известия высших учебных заведений. Физика)
Исследованы наногетероструктуры с множественными квантовыми ямами Ge0.84Si0.076Sn0.084/Ge/Si, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках, включая структуры с Ge квантовыми точками. Образцы были подвергнуты двум методам отжига: продолжительному – в течение 10 мин в кварцевой печи в атмосфере аргона, и быстрому – в течение 1 мин галогеновой лампой в аналогичной атмосфере. Показано, что для структур с множественными квантовыми ямами Ge0.84Si0.076Sn0.084/Ge/Si быстрый отжиг галогеновой лампой позволяет заметно уменьшить сдвиг положения пика фотолюминесценции по сравнению с медленным высокотемпературным отжигом образцов, что свидетельствует о сниженном влиянии диффузии олова из узкозонного слоя квантовой ямы. Тот же эффект наблюдался при отжиге структур с квантовыми точками германия, что позволило предположить, что при быстром отжиге галогеновой лампой параметры квантовых точек, расположенных над слоями Ge0.84Si0.076Sn0.084, не успевают измениться столь существенно, как при продолжительном отжиге в кварцевой печи.