Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами

Исследованы наногетероструктуры с множественными квантовыми ямами Ge0.84Si0.076Sn0.084/Ge/Si, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках, включая структуры с Ge квантовыми точками. Образцы были подвергнуты двум методам отжига: продолжительному – в течение 10 мин в кварц...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 5. С. 60-66
Другие авторы:	Коляда, Дмитрий Владимирович, Фирсов, Дмитрий Дмитриевич, Тимофеев, Вячеслав Алексеевич, Машанов, Владимир Иванович, Скворцов, Илья Владимирович, Есин, Михаил Юрьевич, Петрушков, Михаил Олегович, Комков, Олег Сергеевич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	молекулярно-лучевая эпитаксия раствор твердый наногетероструктуры множественные квантовые ямы отжиг фотолюминесценция статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004114