Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11

Библиографическая информация
Главный автор:	Щербаков, Иван Дмитриевич
Соавтор:	Томский государственный университет
Формат:	Электронная книга
Язык:	Russian
Публикация:	Томск [б. и.] 2023
Предметы:	физика полупроводников. авторефераты диссертаций
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004403

Похожие документы

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Щербаков, Иван Дмитриевич
Публикация: (2023)

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
по: Щербаков, И. Д. специалист в области электроники инженер Томского политехнического университета 1995-
Публикация: (2023)

Спектрометрические характеристики матричных детекторов рентгеновского излучения на основе GaAs:Cr

Исследование крупномасштабных неоднородностей в n-GaAs и их влияние на однородность и характеристики HR GaAs:Cr сенсоров ионизирующего излучения

Influence of temperature on the energy resolution of sensors based on HR GaAs:Cr

Измерение высоты потенциального барьера сенсоров на основе GaAs:Cr методом энергии активации
по: Щербаков, Иван Дмитриевич

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик GaAs:Cr-структур c различными контактами
по: Цуканов, Владимир Андреевич

Исследование распределения удельного сопротивления по пластине GaAs:Cr
по: Щербаков, Иван Дмитриевич

Температурные зависимости эффективности сбора заряда сенсоров на основе GaAs:Cr-структур
по: Павлов, Илья Григорьевич

The influence of contact material and its fabrication on X-ray HR-GaAs:Cr sensor noise characteristics

Спектрометрический детектор из GaAs:Cr
по: Биматов, Михаил Владимирович

Исследование коэффициента поглощения рентгеновского излучения в GaAs
по: Климанов, Р. А.

Исследование распределения эффективности сбора заряда по пластине GaAs:Cr
по: Щербаков, Иван Дмитриевич

Characterization of 4 inch GaAs:Cr wafers

Optical pump–terahertz probe study of HR GaAs:Cr and SI GaAs:El2 structures with long charge carrier lifetimes

Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и EL2 автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Верхолетов, Максим Георгиевич
Публикация: (2023)

Определение максимальной рабочей толщины рентгеновского детектора на основе GaAs:Cr из анализа эффективности сбора заряда

Electron mobility-lifetime and resistivity mapping of GaAs:Cr wafers

Определение времени жизни электронов в GaAs:Cr структурах
по: Цуканов, Владимир Андреевич

Фотовольтаический эффект в контакте металл – высокоомный GaAs:Cr

Дипольные антенны на основе SI-GaAs:Cr для генерации и детектирования терагерцового излучения

Investigation of GaAs:Cr Timepix assemblies under high flux irradiation

Dependence of X-ray sensitivity of GaAs:Cr sensors on material of contacts

Оценка концентрации хрома в высокоомном GaAs:Cr, создаваемом диффузией

Влияние обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых сенсоров рентгеновского излучения
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Влияние методов обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенидгаллиевых сенсоров рентгеновского излучения

Сбор заряда в координатных детекторах рентгеновского излучения на основе полуизолирующего GaAs, компенсированного хрома

Электрические и газочувствительные характеристики сенсоров водорода на основе тонких пленок диоксида олова автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Алмаев, Алексей Викторович
Публикация: (2017)

Электрические и газочувствительные характеристики сенсоров водорода на основе тонких пленок диоксида олова автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Алмаев, Алексей Викторович
Публикация: (2017)

Characterization of GaAs:Cr sensors using the charge-integrating JUNGFRAU readout chip

Определение транспортных характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе GaAs:Cr
по: Мокеев, Дмитрий Юрьевич

Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Петрова, Юлианна Сергеевна
Публикация: (2024)

Фотопроводящие дипольные антенны на основе LT-GaAs и SI-GaAs:Cr для генерации и детектирования терагерцового излучения
по: Кобцев, Даниил Александрович

Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO3 автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Рудов, Федор Валентинович
Публикация: (2012)

Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2 автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Анисимов, Олег Викторович
Публикация: (2007)

Электрические и газочувствительные характеристики сенсоров водорода на основе тонких пленок диоксида олова диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Алмаев, Алексей Викторович
Публикация: (2017)

X-ray microbeam characterisation of crystalline defects in small pixel GaAs:Cr detectors

Самокаталитический рост планарных нанопроволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Спирина, Анна Александровна
Публикация: (2023)

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе GaAs
по: Нетудыхатко, А. В.

Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Деребезов, Илья Александрович
Публикация: (2013)