Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
| Главный автор: | Щербаков, Иван Дмитриевич |
|---|---|
| Соавтор: | Томский государственный университет |
| Другие авторы: | Толбанов, Олег Петрович (Thesis advisor) |
| Формат: | Электронная книга |
| Язык: | Russian |
| Публикация: |
Томск
[б. и.]
2023
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004715 |
Похожие документы
- Characterization of GaAs:Cr sensors using the charge-integrating JUNGFRAU readout chip
-
Температурные зависимости эффективности сбора заряда сенсоров на основе GaAs:Cr-структур
по: Павлов, Илья Григорьевич - Влияние термообработки на электрические характеристики и эффективность сбора заряда сенсоров рентгеновского излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом
-
Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
по: Щербаков, И. Д. специалист в области электроники инженер Томского политехнического университета 1995-
Публикация: (2023) - HR-тренды в мировой и российской практике
