Исследование свойств пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения при разных температурах роста
Изучены свойства тонких пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения с удаленной плазмой кислорода при температурах в диапазоне 80-160 °C. Для каждой температуры определено оптимальное время пост-плазменной откачки, при котором скорость роста за один цикл...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 6. С. 111-119 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001005299 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 03827nab a2200409 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001005299 | ||
| 005 | 20241016174209.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 230905|2023 ru s c rus d | ||
| 024 | 7 | |a 10.17223/00213411/66/6/13 |2 doi | |
| 035 | |a koha001005299 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Исследование свойств пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения при разных температурах роста |c Д. В. Горшков, Е. Р. Закиров, Г. Ю. Сидоров [и др.] |
| 246 | 1 | 1 | |a Studying the properties of HfO2 films grown by plasma-enhanced atomic layer deposition at different growth temperatures |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 26 назв. | ||
| 506 | |a Ограниченный доступ | ||
| 520 | 3 | |a Изучены свойства тонких пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения с удаленной плазмой кислорода при температурах в диапазоне 80-160 °C. Для каждой температуры определено оптимальное время пост-плазменной откачки, при котором скорость роста за один цикл выходила на насыщение. Исследование химического состава методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии позволило установить, что увеличение времени пост-плазменной откачки приводит к уменьшению концентрации примесей, таких как азот и углерод, в пленке HfO2. Были измерены следующие электрофизические параметры выращенных пленок HfO2: емкость, диэлектрическая постоянная и плотность тока утечки. Исследования поперечных срезов диэлектрика методом ПЭМ показали наличие «зернистой» структуры в пленке HfO2, выращенной при температуре 80 °C. | |
| 653 | |a плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение | ||
| 653 | |a рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия | ||
| 653 | |a вольт-фарадные характеристики | ||
| 653 | |a тонкие пленки | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 892007 | |
| 700 | 1 | |a Горшков, Дмитрий Витальевич |9 892006 | |
| 700 | 1 | |a Закиров, Евгений Рашитович |9 892008 | |
| 700 | 1 | |a Сидоров, Георгий Юрьевич |9 135906 | |
| 700 | 1 | |a Сабинина, Ирина Викторовна |9 892010 | |
| 700 | 1 | |a Гутаковский, Антон Константинович |9 386712 | |
| 700 | 1 | |a Вдовин, Владимир Ильич |9 892012 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2023 |g Т. 66, № 6. С. 111-119 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001005299 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1005299 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 999 | |c 1005299 |d 1005299 | ||
| 039 | |b 100 | ||