| Summary: | Методом импульсного лазерного напыления из мишени GaAs в атмосфере аргоно-азотной газовой смеси была получена тонкая пленка GaAs1−yNy толщиной 188 нм на подложке GaAs c ориентацией (100). Определено, что тонкая пленка имеет состав GaAs0.9886N0.0114, выращена псевдоморфно. Методами рентгеновской дифракции и комбинационного рассеяния света установлено, что полученная тонкая пленка имеет эпитаксиальную структуру и сравнительно высокое кристаллическое совершенство. Параметр кристаллической решетки тонкой пленки составил 0.563843 нм, а средний размер области когерентного рассеяния был равен 20.74 нм. Внедрение атомов азота в кристаллическую решетку GaAs доказано появлением на спектрах комбинационного рассеяния света локальной колебательной моды GaN на частоте 476.9 см–1. Было проведено сравнение составов пленки, определенных методом рентгеновской дифракции, спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Показано, что положение максимума фотолюминесценции для пленки GaAs1–yNy составляет 1.221 эВ. Отмечено, что расхождение в значении состава обусловлено тем, что спектроскопия комбинационного рассеяния света учитывает только внедренные в анионную подрешетку атомы азота и не учитывает те атомы азота, которые находятся в положении интерстиции.
|
|---|
