Структурные свойства тонких пленок GaAs1−yNy, полученных методом импульсного лазерного напыления
Методом импульсного лазерного напыления из мишени GaAs в атмосфере аргоно-азотной газовой смеси была получена тонкая пленка GaAs1−yNy толщиной 188 нм на подложке GaAs c ориентацией (100). Определено, что тонкая пленка имеет состав GaAs0.9886N0.0114, выращена псевдоморфно. Методами рентгеновской...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 7. С. 83-91 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001005309 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Summary: | Методом импульсного лазерного напыления из мишени GaAs в атмосфере аргоно-азотной газовой смеси была получена тонкая пленка GaAs1−yNy толщиной 188 нм на подложке GaAs c ориентацией (100). Определено, что тонкая пленка имеет состав GaAs0.9886N0.0114, выращена псевдоморфно. Методами рентгеновской дифракции и комбинационного рассеяния света установлено, что полученная тонкая пленка имеет эпитаксиальную структуру и сравнительно высокое кристаллическое совершенство. Параметр кристаллической решетки тонкой пленки составил 0.563843 нм, а средний размер области когерентного рассеяния был равен 20.74 нм. Внедрение атомов азота в кристаллическую решетку GaAs доказано появлением на спектрах комбинационного рассеяния света локальной колебательной моды GaN на частоте 476.9 см-1. Было проведено сравнение составов пленки, определенных методом рентгеновской дифракции, спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Показано, что положение максимума фотолюминесценции для пленки GaAs1-yNy составляет 1.221 эВ. Отмечено, что расхождение в значении состава обусловлено тем, что спектроскопия комбинационного рассеяния света учитывает только внедренные в анионную подрешетку атомы азота и не учитывает те атомы азота, которые находятся в положении интерстиции. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 22 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |
| Access: | Ограниченный доступ |