Структурные свойства тонких пленок GaAs1−yNy, полученных методом импульсного лазерного напыления

Методом импульсного лазерного напыления из мишени GaAs в атмосфере аргоно-азотной газовой смеси была получена тонкая пленка GaAs1−yNy толщиной 188 нм на подложке GaAs c ориентацией (100). Определено, что тонкая пленка имеет состав GaAs0.9886N0.0114, выращена псевдоморфно. Методами рентгеновской дифр...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 7. С. 83-91
Main Author: Девицкий, Олег Васильевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001005309
LEADER 03780nab a2200325 c 4500
001 koha001005309
005 20230918120759.0
007 cr |
008 230905|2023 ru s c rus d
024 7 |a 10.17223/00213411/66/7/10  |2 doi 
035 |a koha001005309 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Девицкий, Олег Васильевич 
245 1 0 |a Структурные свойства тонких пленок GaAs1−yNy, полученных методом импульсного лазерного напыления  |c О. В. Девицкий 
246 1 1 |a Structural properties of thin GaAs1-yNy films produced by pulsed laser deposition 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 22 назв. 
506 |a Ограниченный доступ 
520 3 |a Методом импульсного лазерного напыления из мишени GaAs в атмосфере аргоно-азотной газовой смеси была получена тонкая пленка GaAs1−yNy толщиной 188 нм на подложке GaAs c ориентацией (100). Определено, что тонкая пленка имеет состав GaAs0.9886N0.0114, выращена псевдоморфно. Методами рентгеновской дифракции и комбинационного рассеяния света установлено, что полученная тонкая пленка имеет эпитаксиальную структуру и сравнительно высокое кристаллическое совершенство. Параметр кристаллической решетки тонкой пленки составил 0.563843 нм, а средний размер области когерентного рассеяния был равен 20.74 нм. Внедрение атомов азота в кристаллическую решетку GaAs доказано появлением на спектрах комбинационного рассеяния света локальной колебательной моды GaN на частоте 476.9 см–1. Было проведено сравнение составов пленки, определенных методом рентгеновской дифракции, спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Показано, что положение максимума фотолюминесценции для пленки GaAs1–yNy составляет 1.221 эВ. Отмечено, что расхождение в значении состава обусловлено тем, что спектроскопия комбинационного рассеяния света учитывает только внедренные в анионную подрешетку атомы азота и не учитывает те атомы азота, которые находятся в положении интерстиции. 
653 |a тонкие пленки 
653 |a импульсное лазерное напыление 
653 |a рентгеновская дифракция 
653 |a спектроскопия комбинационного рассеяния света 
655 4 |a статьи в журналах 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2023  |g Т. 66, № 7. С. 83-91  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001005309 
908 |a статья 
999 |c 1005309  |d 1005309