Структурные свойства тонких пленок GaAs1−yNy, полученных методом импульсного лазерного напыления
Методом импульсного лазерного напыления из мишени GaAs в атмосфере аргоно-азотной газовой смеси была получена тонкая пленка GaAs1−yNy толщиной 188 нм на подложке GaAs c ориентацией (100). Определено, что тонкая пленка имеет состав GaAs0.9886N0.0114, выращена псевдоморфно. Методами рентгеновской...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 7. С. 83-91 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001005309 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 03983nab a2200349 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001005309 | ||
| 005 | 20230918120759.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 230905|2023 ru s c rus d | ||
| 024 | 7 | |a 10.17223/00213411/66/7/10 |2 doi | |
| 035 | |a koha001005309 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 100 | 1 | |a Девицкий, Олег Васильевич |9 892062 | |
| 245 | 1 | 0 | |a Структурные свойства тонких пленок GaAs1−yNy, полученных методом импульсного лазерного напыления |c О. В. Девицкий |
| 246 | 1 | 1 | |a Structural properties of thin GaAs1-yNy films produced by pulsed laser deposition |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 22 назв. | ||
| 506 | |a Ограниченный доступ | ||
| 520 | 3 | |a Методом импульсного лазерного напыления из мишени GaAs в атмосфере аргоно-азотной газовой смеси была получена тонкая пленка GaAs1−yNy толщиной 188 нм на подложке GaAs c ориентацией (100). Определено, что тонкая пленка имеет состав GaAs0.9886N0.0114, выращена псевдоморфно. Методами рентгеновской дифракции и комбинационного рассеяния света установлено, что полученная тонкая пленка имеет эпитаксиальную структуру и сравнительно высокое кристаллическое совершенство. Параметр кристаллической решетки тонкой пленки составил 0.563843 нм, а средний размер области когерентного рассеяния был равен 20.74 нм. Внедрение атомов азота в кристаллическую решетку GaAs доказано появлением на спектрах комбинационного рассеяния света локальной колебательной моды GaN на частоте 476.9 см-1. Было проведено сравнение составов пленки, определенных методом рентгеновской дифракции, спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Показано, что положение максимума фотолюминесценции для пленки GaAs1-yNy составляет 1.221 эВ. Отмечено, что расхождение в значении состава обусловлено тем, что спектроскопия комбинационного рассеяния света учитывает только внедренные в анионную подрешетку атомы азота и не учитывает те атомы азота, которые находятся в положении интерстиции. | |
| 653 | |a тонкие пленки | ||
| 653 | |a импульсное лазерное напыление | ||
| 653 | |a рентгеновская дифракция | ||
| 653 | |a спектроскопия комбинационного рассеяния света | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 892063 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2023 |g Т. 66, № 7. С. 83-91 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001005309 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1005309 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 999 | |c 1005309 |d 1005309 | ||
| 039 | |b 100 | ||