Структурные свойства тонких пленок GaAs1−yNy, полученных методом импульсного лазерного напыления

Методом импульсного лазерного напыления из мишени GaAs в атмосфере аргоно-азотной газовой смеси была получена тонкая пленка GaAs1−yNy толщиной 188 нм на подложке GaAs c ориентацией (100). Определено, что тонкая пленка имеет состав GaAs0.9886N0.0114, выращена псевдоморфно. Методами рентгеновской дифр...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 7. С. 83-91
Main Author: Девицкий, Олег Васильевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001005309