Структурные свойства тонких пленок GaAs1−yNy, полученных методом импульсного лазерного напыления
Методом импульсного лазерного напыления из мишени GaAs в атмосфере аргоно-азотной газовой смеси была получена тонкая пленка GaAs1−yNy толщиной 188 нм на подложке GaAs c ориентацией (100). Определено, что тонкая пленка имеет состав GaAs0.9886N0.0114, выращена псевдоморфно. Методами рентгеновской дифр...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 7. С. 83-91 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001005309 |