Синтез оксида графена по модифицированному методу Хаммерса
Графен и его производные являются перспективными структурами во многих областях науки и техники: от электроники и запасания энергии до экологии и медицины. Интерес в области катализа представляют оксид графена и восстановленный оксид графена, применяемые в качестве адсорбентов и носителей активных...
| Published in: | Вестник Томского государственного университета. Химия № 30. С. 67-79 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001005349 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Summary: | Графен и его производные являются перспективными структурами во многих областях науки и техники: от электроники и запасания энергии до экологии и медицины. Интерес в области катализа представляют оксид графена и восстановленный оксид графена, применяемые в качестве адсорбентов и носителей активных компонентов катализаторов. В данной работе предложена и проведена апробация упрощенной методики синтеза оксида графена окисли-тельной обработкой графита по модифицированному методу Хаммерса. Преимуществами данного подхода являются более простое аппаратурное оформление, отсутствие токсичных продуктов, контролируемая и глубокая степень окисления графита и воспроизводимость синтеза. Для исследования синтезированной серии образцов оксида графена использован ряд физико-химических методов: рентгенофазовый анализ, синхронный термический анализ, УФ-видимая спектрометрия. Полученные образцы идентифицированы как оксид графена с воспроизводимыми структурой, составом и физико-химическими свойствами. Материал имеет высокий выход высокоокисленного углерода с малой примесью неокисленного графита. Для серии образцов оксида графена наблюдаются близкие значения межслоевых расстояний (~ 7 Å) и размеров «пачек» упорядоченных углеродных листов (5,2-7,8 нм). Также образцы имеют идентичный характер термических и оптических свойств. Внедрение кислородсодержащих функциональных групп в структуру углерода снижает термическую устойчивость оксида графена в сравнении с графитом, а также способствует возникновению полупроводниковых свойств (ширина запрещенной зоны 3,6-3,8 эВ). |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 16 назв. |
| ISSN: | 2413-5542 |