| Summary: | Проведен анализ спектров диффузного отражения двухслойных полых частиц SiO2/ZnO и объемных микрочастиц ZnO в диапазоне длин волн от 200 до 2500 нм до и после их облучения протонами с энергией 100 кэВ. Также проведено моделирование воздействия протонов на ансамбль полых двухслойных частиц в среде GEANT4. Согласно результатам экспериментов и расчетов, радиационная стойкость полых частиц SiO2/ZnO выше, чем у объемных микрочастиц ZnO. Вероятными причинами увеличения радиационной стойкости полых частиц могут быть высокая удельная поверхность, которая служит стоком радиационных дефектов, а также наличие фаз SiO2, ZnSiO3 и Zn2SiO4, которые формируют центры поглощения в УФ-области спектра и снижают их концентрацию в видимой области спектра.
|
|---|
