Радиационная стойкость двухслойных полых частиц SiO2/ZnO при облучении протонами

Радиационная стойкость двухслойных полых частиц SiO2/ZnO при облучении протонами

Проведен анализ спектров диффузного отражения двухслойных полых частиц SiO2/ZnO и объемных микрочастиц ZnO в диапазоне длин волн от 200 до 2500 нм до и после их облучения протонами с энергией 100 кэВ. Также проведено моделирование воздействия протонов на ансамбль полых двухслойных частиц в среде...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 7. С. 117-125
Other Authors: Дудин, Андрей Николаевич, Юрина, Виктория Юрьевна, Михайлов, Михаил Михайлович 1941-, Ли, Чундун, Нещименко, Виталий Владимирович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
оксид цинка
диоксид кремния
полые частицы
двухслойные частицы
деградация
оптические свойства
радиационная стойкость
дефекты
протоны
облучение
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001005376
Перейти в каталог НБ ТГУ
Description
Summary:Проведен анализ спектров диффузного отражения двухслойных полых частиц SiO2/ZnO и объемных микрочастиц ZnO в диапазоне длин волн от 200 до 2500 нм до и после их облучения протонами с энергией 100 кэВ. Также проведено моделирование воздействия протонов на ансамбль полых двухслойных частиц в среде GEANT4. Согласно результатам экспериментов и расчетов, радиационная стойкость полых частиц SiO2/ZnO выше, чем у объемных микрочастиц ZnO. Вероятными причинами увеличения радиационной стойкости полых частиц могут быть высокая удельная поверхность, которая служит стоком радиационных дефектов, а также наличие фаз SiO2, ZnSiO3 и Zn2SiO4, которые формируют центры поглощения в УФ-области спектра и снижают их концентрацию в видимой области спектра.
Bibliography:Библиогр.: 30 назв.
ISSN:0021-3411
Access:Ограниченный доступ

Similar Items