Расчет электростатического полевого транзистора Шоттки при наличии особенности электростатического поля

Расчет электростатического полевого транзистора Шоттки при наличии особенности электростатического поля

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Инноватика-2023 : сборник материалов XIX Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 21-22 апреля 2023 г., г. Томск, Россия С. 478-481
Главный автор:	Нариманова, Гуфана Нурлабековна
Другие авторы:	Нариманов, Ринат Казбекович
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	полевые транзисторы Шоттки транзистор электростатическое поле статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001006707

Похожие документы

Исследование электростатического поля методические указания для выполнения лабораторной работы : [для студентов нефизических специальностей очной и заочной форм обучения
Публикация: (2018)

Изучение электростатического поля методические указания
Публикация: (2011)

Двумерная модель GaAs полевого транзистора Шоттки с учетом особенности электрического поля
по: Вячистый, Дмитрий Федорович

К вопросу расчета полевого транзистора Шоттки на основе гидродинамической модели
по: Багутдинов, Равиль Анатольевич

Исследование статических характеристик полевого транзистора = Твердотельные приборы и устройства: /
по: Панковец, Н. Г., et al.
Публикация: (1993)

Электрические характеристики полевого транзистора на основе пентацена
по: Терещенко, Евгений Васильевич

Расчет параметров электростатического поля и токов в МГД-канале с учетом краевых эффектов в местах стыка электродов и изоляторов
по: Нариманов, Ринат Казбекович

Изучение электростатического поля: руководство к лабораторной работе/
по: Иванова, Е. В. Елена Васильевна, et al.
Публикация: (2003)

Изучение электростатического поля: Руководство к компьютерной лабораторной работе по физике для студентов всех специальностей/
по: Иванова, Е. В. Елена Васильевна, et al.
Публикация: (2003)

Разработка технологии и создание GaAs СВЧ монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов Шоттки: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04/
по: Арыков, В. С. Вадим Станиславович
Публикация: (2012)

Разработка технологии и создание GaAs СВЧ монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов Шоттки: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04/
по: Арыков, В. С. Вадим Станиславович
Публикация: (2012)

Изучение электростатического поля: Руководство к компьютерной лабораторной работе по физике для студентов всех специальностей/
по: Иванова, Е. В. Елена Васильевна, et al.
Публикация: (2006)

Твердотельная электроника: учебное пособие/
по: Легостаев, Н. С. Николай Степанович, et al.
Публикация: (2011)

Исследование электростатического поля: лабораторная работа N 5/

Микроволновые усилители с большим динамическим диапазоном: монография/
по: Туев, В. И. Василий Иванович, et al.
Публикация: (2013)

Диоды Шоттки на гетероструктурах с двумерным электронным газом
по: Ющенко, Алексей Юрьевич

Полупроводниковая электроника учебно-методический комплекс : [для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению 03.03.03 «Радиофизика»]
по: Гермогенов, Валерий Петрович
Публикация: (2015)

Исследование характеристик полевого транзистора с p - n переходом в качестве затвора методическое пособие
Публикация: (2004)

Интегральные схемы на основе арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров: учебное пособие: в 2 разделах/
по: Торгонский, Леонид Александрович
Публикация: (2007)

Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Физика, технология, применение: научное издание/
по: Стриха, В. И. Виталий Илларионович, et al.
Публикация: (1974)

Детектор терагерцового диапазона на диоде Шоттки
по: Пидотова, Диана Андреевна

Диоды Шоттки на основе GaAs с туннельнопрозрачным слоем Ga2Se3

Интегральные СВЧ устройства на полевых транзисторах с барьером Шотки Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук 01.04.03
по: Бочков, Вячеслав Викторович
Публикация: (1996)

Метод интегрального преобразования Абеля в задачах теории потенциала и дифракции для незамкнутых экранов сфероидальной и тороидальной формы Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.03
по: Виноградова, Елена Дмитриевна
Публикация: (1996)

Исследование контакта Au-ZrN-n- GaAs с барьером Шоттки

Вопросы электроники СВЧ: сборник научных трудов/
Публикация: (1992)

Исследование структуры контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия
по: Литвинюк, О. В.

Мощные полевые транзисторы и их применение: Пер. с англ./
по: Окснер, Э. С. Эдвин
Публикация: (1985)

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе GaAs
по: Нетудыхатко, А. В.

Введение в теоретическую физику
по: Планк, Макс 1858-1947
Публикация: (1933)

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе арсенида галлия
по: Захаров, Д. Н.

Некоторые проблемы физики реальных контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Расчет биполярного транзистора: Электронные компоненты и конструирование бытовых и медицинских РЭС: Методические указания по курсовому проектированию для студентов специальности 2303/
Публикация: (1992)

Влияние электростатического поля на белых мышей в условиях асфиксации
по: Роман, Иван Иванович

Моделирование электростатического поля в окрестности стыка изолятора и электрода
по: Майлюков, Динислам Ахатович

Моделирование электростатического поля в окрестности стыка изолятора и электрода
по: Майлюков, Динислам Ахатович

Влияние нормального распределения высоты барьера на характеристики контакта с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

"Низкотемпературная аномалия" в контактах "металл - полупроводник" с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Низкочастотный шум в неоднородных контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Васильев, О. В.