Skip to content
  • Language
    • English
    • Русский

Advanced
  • Влияние напряжения на время пе...
  • Cite this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Влияние напряжения на время переключения фотоэлектрического ключа HGPCSS на основе GaAs, легированного глубокими центрами

Влияние напряжения на время переключения фотоэлектрического ключа HGPCSS на основе GaAs, легированного глубокими центрами

Bibliographic Details
Published in:Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия С. 16-17
Main Author: Верхолетов, Максим Георгиевич
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
детекторы ионизирующих излучений
переключатели фотоэлектрические
численные исследования
статьи в сборниках
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008307
Перейти в каталог НБ ТГУ
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View
Description
Bibliography:Библиогр.: 7 назв.

Similar Items

  • Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2
    by: Верхолетов, Максим Георгиевич
  • Детекторы ионизирующих частиц и излучений. Принципы и применения учебное пособие
    by: Болоздыня, Александр Иванович
    Published: (2012)
  • Актуальные вопросы физики полупроводниковых детекторов [сборник]
    Published: (1981)
  • Кремний-литиевые детекторы ядерного излучения
    Published: (1981)
  • Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом
    by: Щербаков, Иван Дмитриевич
|   Advanced Search   |   Search Tips   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Loading...